Diodes анонсирует новую серию быстродействующих драйверов затворов в корпусах SO-8

200-вольтовые драйверы затворов DGD2003S8, DGD2005S8 и DGD2012S8, рассчитанные на полумостовое или автономное включение внешних транзисторов, выпускаются в стандартных низкопрофильных корпусах SO-8. Для создания в выходных каскадах этих устройств плавающего канала верхнего плеча, позволяющего использовать бутстрепное управление при напряжениях до 200 В или управлять двумя N-канальными MOSFET в полумостовой топологии, применена технология изоляции перехода.

Все устройства серии имеют входы управления с триггерами Шмитта и стандартными ТТЛ/КМОП логическими уровнями и могут работать при напряжении питания от 3.3 В, что упрощает интерфейс драйверов со схемами управления. Выходные каскады микросхем выдерживают отрицательные выбросы напряжения и содержат цепи блокировки при пониженных напряжениях в верхнем и нижнем плечах драйверов.

Вытекающий и втекающий токи равны 290 мА и 600 мА, соответственно, для DGD2003S8 и DGD2005S8 и 1.9 А и 2.3 А для DGD2012S8. Мертвое время прибора DGD2003S8 внутренне фиксировано на уровне 420 нс, в то время как максимальное время задержки распространения DGD2005S8 при переключении между верхним и нижним плечом равно 30 нс.

DGD2003S8, DGD2005S8 и DGD2012S8, рассчитанные на расширенный диапазон рабочих температур от –40 °C до +125 °C, поставляются в корпусах SO-8.