Navitas выпускает новую серию 650-вольтовых силовых GaN микросхем

Новые силовые микросхемы GaNFast со встроенным теплоотводом сделают зарядные устройства еще более быстрыми и миниатюрными

Navitas Semiconductor объявила о выпуске новой серии 650-вольтовых силовых микросхем семейства GaNFast в корпусах PQFN с размерами 6 × 8 мм с теплоотводящей площадкой запатентованной конструкции, предназначенных для высокоэффективных систем питания с высокой плотностью мощности.

Нитрид галлия (GaN) – это основа полупроводниковой технологии следующего поколения, работающей в 20 раз быстрее, чем старый медленный кремний, и позволяющей получать в 3 раза больше энергии или заряжать в 3 раза быстрее при размерах и весе, сниженных вдвое. Мощные GaNFast микросхемы позволяют осуществлять модернизацию до уровня следующего поколения на различных рынках – от устройств быстрой зарядки и адаптеров USB-C мощностью 25–100 Вт для смартфонов и ноутбуков, до телевизоров мощностью 200–800 Вт и компьютеров «все в одном», и до многокиловаттных источников питания электромобилей, промышленного оборудования и датацентров.

«Как мы видим в последних изделиях Xiaomi и Lenovo, силовые GaNFast микросхемы работают на высоких скоростях и резко сокращают размеры и стоимость пассивных компонентов в устройствах быстрой зарядки и адаптерах, – отметил Дэн Кинзер (Dan Kinzer), технический директор и главный операционный директор Navitas. – Благодаря расширенному тепловому интерфейсу с печатной платой и прямому тепловому и электрическому подключению к системной земле, серия NV612x позволяет снизить температуру на 10-15 °C, обеспечивая самую высокую в мире плотность мощности и соответствие всем нормам, установленным регулирующими органами».

В то время как конкурирующие решения требуют дополнительных сложных внешних компонентов управления и защиты, уникальная и запатентованная технология интеграции на одном кристалле нитрид-галлиевых полевых транзисторов, цифровых схем и аналоговых схем означает, что новые микросхемы GaNFast обеспечивают наименьшие размеры, самую высокую скорость, а теперь еще и более низкую рабочую температуру. Эта комбинация простоты и расширенных возможностей позволяет создавать самые компактные в мире устройства быстрой зарядки с плотностью мощности, достигающей 1 Вт/см³ при мощности 65 Вт и 1.25 Вт/см³ при мощности 300 Вт, что намного превосходит любые другие дискретные решения на основе нитрида галлия или кремния.

Разработчикам мощной электроники новая серия GaNFast силовых микросхем NV612x предоставляет элегантное решение сложных вопросов управления тепловыми режимами, обеспечивая существенное улучшение рассеивания тепла через печатную плату. Линейка приборов в корпусах размером 6 мм × 8 мм с усовершенствованным теплоотводящим основанием предлагается по той же цене, что и существующие микросхемы GaNFast в корпусах 5 мм × 6 мм, что в некоторых случаях может позволить разработчику заменить версию с меньшим размером кристалла, чтобы дополнительно снизить системные затраты.

650-вольтовые силовые микросхемы нового семейства содержат полные схемы драйверов затвора и защиты, а также силовые GaN МОП-транзисторы, упакованные в низкоиндуктивные корпуса PQFN для поверхностного монтажа:

• NV6123: 650 В, 300 мОм, PQFN 6 × 8 мм;
• NV6125: 650 В, 175 мОм, PQFN 6 × 8 мм;
• NV6127: 650 В, 125 мОм, PQFN 6 × 8 мм;

Средства поддержки разработки включают технические описания, электрические модели (SPICE), механические модели (.stp) и инструкции по тепловому проектированию. Все компоненты освоены в серийном производстве и доступны для немедленной отгрузки партнерами-дистрибьюторами Navitas. Цена одного устройства из партии в 1000 шт. начинается от $ 1.19.