Возможно, наиболее распространенными приложениями для очень низкоомных резисторов (например, миллиомы и меньше) являются схемы контроля тока, где их низкое сопротивление снижает потери мощности. Для этих приложений вполне достаточно допусков порядка 10%-20%. Но даже при таких допусках точное измерение очень малых значений сопротивлений может быть довольно сложной задачей, особенно при больших токах.
Схема, показанная на Рисунке 1, обеспечивает решение этой проблемы путем подачи импульсов с малым коэффициентом заполнения на неизвестный резистор и на эталонный резистор известного сопротивления. Для сравнения отклика двух компонентов и определения сопротивления тестируемого резистора используется логометрический метод.
 | |
| Рисунок 1. | Эта схема позволяет точно измерять очень низкие значения сопротивлений путем подачи импульсов с малым коэффициентом заполнения на неизвестный резистор и на эталонный резистор с известным сопротивлением. |
Для измерений сигналов на выходах V1 и V2, необходимых для расчета точных значений сопротивления, можно использовать обычный осциллограф или же импульсный вольтметр, который может обеспечить более высокую точность.
В схеме используется почтенный таймер 555, работающий в автоколебательном режиме для генерации импульсов, которые используются для заряда и разряда малоиндуктивного конденсатора C2. Во время цикла разряда ток проходит через прецизионный стандартный резистор R6 и измеряемое сопротивление RX. Значение сопротивления можно рассчитать из соотношения соответствующих напряжений:
где V1 и V2 – пиковые значения напряжений.
Отсюда неизвестное значение равно:
Полоса пропускания осциллографа или вольтметра должна быть достаточно большой, чтобы улавливать короткие импульсы, создаваемые схемой. Некоторые осциллографы не обеспечивают достаточной яркости из-за очень большого отношения длительности периода генератора на микросхеме 555 к длительности импульса.
Схема также может использоваться для управления другими низкоомными нагрузками, требующими импульсов тока большой амплитуды и малой длительности, таких, например, как полупроводниковые лазеры.