Схема управления на Рисунке 1 имеет относительно низкое входное сопротивление и, таким образом, чтобы обеспечить нужный низкий уровень входного напряжения, требует использования низкоомного внешнего подтягивающего резистора R₁, В свою очередь, R₁ рассеивает энергию впустую, пропуская относительно большой ток, текущий через ключ S₁. Например, предположим, что схема управления имеет входное сопротивление 2.2 кОм и требует низкого логического уровня на входе 5 В или меньше. При напряжении V_CC, равном 24 В, сопротивление резистора R₁ не должно превышать 500 мА для вытекающего тока 24/500 = 48 мА. Тогда мощность, рассеиваемая резистором R₁, составит 242/0.5 = 1152 мВт, что для надежной работы потребует использования 2-ваттного резистора.

Рисунок 1.	Для обычной схемы требуется низкоомный подтягивающий резистор.

Приложение, в котором использовалось предлагаемое решение, содержало девять схем управления, забиравших ток 432 мА, что добавляло к потребляемой мощности примерно 10 Вт. Чтобы уменьшить потери мощности, в нем была использована схема активной подтяжки к общей шине (обведена пунктирной линией на Рисунке 2). До тех пор, пока ключ S₁ остается замкнутым, напряжение на базе p-n-p транзистора Q₁ превышает напряжение на эмиттере на величину прямого падения напряжения на диоде D₁. Таким образом, транзистор Q₁ не проводит ток, и входное напряжение схемы управления остается на уровне V_CC – 0.7 В (прямое падение напряжения на диоде D₁).

Рисунок 2.	В схеме активной подтяжки резистор, рассеивающий большую мощность, заменен насыщенным транзистором.

Размыкание ключа S₁ смещает диод D₁ в обратном направлении, и базовый ток, протекающий через резистор R₁, включает транзистор Q₁, который насыщается и устанавливает на входе схемы напряжение, равное напряжению насыщения коллектор-эмиттер. Таким образом, ток, проходящий через S₁ при замкнутом ключе, равен V_CC/R₁. Например, при V_CC = 24 В и R₁ = 10 кОм, ток I = 24/10 = 2.4 мА, и на резисторе рассеивается примерно 0.058 Вт, что приблизительно в 20 раз меньше, чем в схеме на Рисунке 1. В результате ток, потребляемый в нашем приложении девятью входами схемы управления, уменьшается с 432 до 22 мА. Кроме того, отпадает необходимость в использовании 2-ваттных резисторов, что экономит место на печатной плате. На Рисунке 3 показан вариант с активной подтяжкой к положительной шине.

Рисунок 3.	Измененный вариант с использованием n-p-n транзистора дает схему с активной подтяжкой к положительной шине.