Схема защиты от переполюсовки на Рисунке 1 является высокоэффективной альтернативой обычным последовательным диодам (часто Шоттки). На этой схеме падает гораздо меньшее напряжение, чем на лучших диодах Шоттки. В схеме используются MOSFET из-за их низкого сопротивления в открытом состоянии. Общее сопротивление этих транзисторов в открытом состоянии составляет 0.013 Ом. При токе нагрузки 10 А и температуре 25 °C на них падает напряжение 0.13 В. Сравните это значение с прямыми падениями напряжения в несколько сотен милливольт на диодах Шоттки при тех же условиях.
 | ||
| Рисунок 1. | Напряжение, падающее на этой схеме защиты от переполюсовки, меньше, чем на лучших диодах Шоттки. | |
Из за внутренних диодов MOSFET необходимо использовать последовательное включение p- и n-канальных транзисторов. Оптоизолятор обеспечивает соответствующее управление затворами MOSFET. При более низких токах характеристики схемы еще лучше. Два дискретных транзистора можно заменить одним корпусом с комплементарной парой MOSFET, таким, например, как IRF7389, общее сопротивление открытых транзисторов которого равно 0.108 Ом. Резисторы R2 и R3 необходимы для закрывания транзисторов при выключенной микросхеме IC1. R1 обеспечивает номинальное входное напряжение 12 В.