Toshiba выпускает сдвоенный MOSFET с высоким уровнем защиты от электростатических разрядов

Toshiba Electronics Europe выпустила сдвоенный MOSFET с высокими уровнями защиты от электростатических разрядов. Новый прибор SSM6N813R предназначен для использования в жестких условиях автомобильных приложений, включая драйверы светодиодных фар, которые должны выдерживать высокие напряжения и занимать небольшую площадь.

Высокая устойчивость устройства к электростатическим разрядам и равное 100 В максимальное напряжение сток-исток гарантируют надежность работы SSM6N813R в приложениях управления автомобильными фарами, требующих нескольких светодиодов. Транзисторы, изготавливаемые с использованием новейшего технологического процесса, рассеивают мощность 1.5 Вт и обеспечивают высокую эффективность благодаря низкому сопротивлению открытого канала, составляющему всего 112 мОм. Устройства могут работать при токах стока до 3.5 А.

Расположение выводов и внутренняя схема SSM6N813R.

Сдвоенные MOSFET поставляются в миниатюрных корпусах TSOP6F с размерами 2.9 мм × 2.8 мм × 0.8 мм – такими же, как у корпуса SOT23, – занимая на плате площадь на 70% меньшую, чем корпус SOP8. Транзистор запущен в массовое производство.