Infineon анонсирует StrongIRFET 2 - новое поколение силовых MOSFET

Infineon представила транзисторы StrongIRFET 2 – новое поколение силовых MOSFET с допустимыми напряжениями 80 В и 100 В. Благодаря широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличному соотношению цены и качества, у разработчиков не будет проблем с выбором и покупкой приборов. Оптимизированное как для низких, так и для высоких частот переключения, семейство поддерживает широкий спектр приложений, обеспечивая высокую гибкость конструкторских решений. В перечень приложений, которым принесет пользу использование новых устройств, входят импульсные источники питания, драйверы двигателей, аккумуляторные инструменты, системы управления аккумуляторами, источники бесперебойного питания и легкие электромобили.

Infineon - StrongIRFET 2

Новая технология StrongIRFET обеспечивает 40-процентное снижение сопротивления открытого канала (RDS(ON)) и более чем 50-процентное снижение заряда затвора (QG) по сравнению с предыдущим поколением, что увеличивает КПД устройства и улучшает характеристики системы в целом. Повышенные значения допустимых токов стока (ID) устраняют необходимость параллельного включения нескольких устройств, что снижает затраты на компоненты и экономит площадь платы.

Продукт Корпус Напряжение
стока
[В]
RDS(ON) (макс.)
при 25 °C
[мОм]
QG (тип.)
при 25 °C
[нКл]
ID (макс.)
при 25 °C
[А]
Полярность Диапазон рабочих
температур
[°C]
IPP040N08NF2S TO-220 80 4   115 N –55…175
IPP050N10NF2S TO-220 100 5 51 110 N –55…175
IPP082N10NF2S TO-220 100 8.2 28 77 N –55…175
IPP129N10NF2S TO-220 100 12.9 19 52 N –55…175
IPP024N08NF2S TO-220 80 2.4 89 182 N –55…175
IPP016N08NF2S TO-220 80 1.6 170 196 N –55…175
IPP055N08NF2S TO-220 80 5.5 36 99 N –55…175
IPP019N08NF2S TO-220 80 1.9 124 191 N –55…175
IPP026N10NF2S TO-220 100 2.6 103 184 N –55…175

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 62
сейчас смотрят 5
представлено поставщиков 1569
загружено
позиций
25 067 862