IXYS начала серийное производство нового драйвера SiC MOSFET и IGBT

IXYS, подразделение компании Littelfuse, приступила к серийному производству микросхемы драйвера IX4351NE, предназначенного для управления SiC MOSFET и IGBT большой мощности. Раздельные 9-амперные выходы истоков и стоков позволяют настраивать времена включения и выключения, минимизируя потери переключения. Внутренний зарядовый насос обеспечивает регулируемое отрицательное напряжение смещения затвора для улучшения устойчивости к dV/dt и уменьшения времени выключения.

Схема детектора выхода из насыщения обнаруживает состояние токовой перегрузки внешнего SiC MOSFET и инициирует плавное отключение, предотвращая потенциальную опасность повреждения из-за высокой скорости изменения напряжения dV/dt. Логический вход IN, совместимый с ТТЛ и КМОП, не требует преобразования уровня даже при отрицательном напряжении смещения драйвера затвора. Безопасность работы обеспечивается цепями защиты от пониженного напряжения и перегрева кристалла. Выход «Неисправность» с открытым стоком сигнализирует микроконтроллеру об аварийном режиме.

Параметры IX4351NE гарантируются в диапазоне рабочих температур от –40 °C до +125 °C. Устройство выпускается в 16-выводном корпусе SOIC со сниженным тепловым сопротивлением.

• Драйверы SiC MOSFET и IGBT;
• Бортовые зарядные устройства и зарядные станции;
• Промышленные инверторы;
• Корректоры коэффициента мощности, AC/DC и DC/DC преобразователи.

Оценочная плата для микросхемы IX4351.