Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC - шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру

Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств.

CoolSiC  MOSFET

По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Они идеальны для таких применений, как инверторы для солнечной энергетики, системы хранения энергии, электропривод, различные зарядные устройства и ключевые источники электропитания.

Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Технология CoolSiC™ выводит КПД и надёжность новых устройств силовой электроники на доселе невиданный уровень.

Читать статьи »

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 1000
сейчас смотрят 7
представлено поставщиков 606
загружено
позиций
25 067 862