MOSFET в низковольтных схемах защиты от обратного напряжения

MOSFET в низковольтных схемах защиты от обратного напряжения
Рисунок 1. Для защиты от напряжения обратной полярности обычно используется диод (а).
По сравнению с диодом схема на MOSFET имеет намного меньшее падение напряжения (б).
Если требуется защита в нижнем плече схемы, можно использовать n-канальный
MOSFET (в). Добавление резистора и конденсатора обеспечивает функцию
«плавного включения» (г).

Использовался сдвоенный p-канальный прибор IRF7342, оба MOSFET которого были включены параллельно, и источник питания 3 В. При токе нагрузки 100 мА падение напряжения было равно 100 мВ. При входном напряжении 4.5 В и токе нагрузки 100 мА потери составили всего 50 мВ. Если требуется защита в нижнем плече схемы, можно использовать сдвоенный n-канальный MOSFET IRF7341, также соединив транзисторы параллельно (Рисунок 1в). При напряжении источника питания 3 В и токе нагрузки 100 мА потери составляют 40 мВ. При входном напряжении 4.5 В и токе нагрузки 100 мА на этой схеме падает всего 25 мВ.

Для того чтобы добавить функцию «плавного включения», потребуется лишь один дополнительный конденсатор и один резистор (Рисунок 1г). Показанные на схеме номиналы компонентов добавляют к задержке включения примерно 100 мс, поскольку переход MOSFET из выключенного состояния в полностью включенное происходит в линейном режиме.

Материалы по теме

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 239
сейчас смотрят 10
представлено поставщиков 383
загружено
позиций
25 067 862