ON Semiconductor анонсировала два 1200-вольтовых полностью карбидокремниевых (SiC) MOSFET модуля, еще больше расширяющих ассортимент ее продуктов, предназначенных для требовательного рынка электромобилей.
Продолжающийся рост продаж электромобилей требует развертывания соответствующей инфраструктуры, способной удовлетворить потребности водителей, обеспечивая их сетью станций быстрой зарядки, которые позволят им доезжать до пункта назначения быстро и без беспокойства по поводу оставшегося заряда. Требования в этом секторе быстро развиваются, и уже сейчас становятся «нормой» мощности, превышающий 350 кВт, и КПД 95%. Ввиду разнообразия сред и мест, в которых используются эти зарядные устройства, разработчики сталкиваются с проблемами компактности и повышенной надежности.
Новые 1200-вольтовые полностью карбидокремниевые MOSFET модули, основанные на планарной технологи, рассчитаны на управляющее напряжение в диапазоне 18 – 20 В. Увеличенные размеры кристалла уменьшают тепловое сопротивление по сравнению с MOSFET с щелевой изоляцией, снижая температуру кристалла при той же рабочей температуре.
Модуль NXH010P120MNF1, в котором MOSFET сконфигурированы полумостом, имеет в открытом состоянии сопротивление 10 мОм и упаковывается в корпус F1, тогда как полумостовое устройство NXH006P120MNF2 с сопротивлением 6 мОм выпускается в корпусе F2. Корпуса с запрессованными выводами идеально подходят для промышленных приложений, а встроенный термистор с отрицательным температурным коэффициентом облегчает контроль температуры.
Являясь частью созданной ON Semiconductor экосистемы зарядки электромобилей, новые модули SiC MOSFET разрабатывались для совместной работы с драйверами затворов, такими, как устройства семейства NCD5700x. Недавно представленный двухканальный изолированный драйвер затворов IGBT/MOSFET NCD57252 с гальванической изоляцией 5 кВ может быть сконфигурирован как сдвоенный драйвер нижнего плеча, сдвоенный драйвер верхнего плеча или как полумост.
NCD57252 выпускается в небольшом широком корпусе SOIC-16 и может управляться входными сигналами с логическими уровнями (3.3 В, 5 В и 15 В). Сильноточное устройство (вытекающий ток 4.0 А, втекающий – 6.0 А при напряжении плато Миллеоа) с типовой задержкой распространения 60 нс хорошо подходит для высокоскоростных приложений.
В недавно анонсированных 650-вольтовых SiC MOSFET используется новая конструкция активных элементов в сочетании с передовой технологией тонких пластин, что в совокупности обеспечивает лучший в своем классе показатель качества – произведение сопротивления открытого канала на площадь кристалла. Устройства этой серии, такие как NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC, имеют самые низкие сопротивления открытых каналов среди всех предлагаемых на рынке MOSFET в корпусах D2PAK7L/TO247.
1200- и 900-вольтовые n-канальные SiC MOSFET имеют небольшие размеры кристалла, что снижает емкость устройства и заряд затвора (который составляет всего 220 нКл), уменьшая коммутационные потери при работе на высоких частотах, требуемых для зарядных станций электрических транспортных средств.