Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе с высокой удельной мощностью

Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные показатели преобразователя и снизить на 30% потери мощности в магнитных компонентах. Максимальный КПД преобразователя с выходом 400 В/16 А на частоте 500 кГц при этом достигает 98.5%.

Вебинар «Необычное в обычном. Сравнительный анализ современных решений Recom» (27.01.2022)

Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе с высокой удельной мощностью

В статье описана работа SiC МОП-транзисторов (MOSFET) в преобразователе постоянного напряжения мощностью 6.6 кВт на частотах от 500 кГц до 1.5 МГц и приведены практические рекомендации по проектированию высокочастотного преобразователя, связанные с компоновкой печатной платы, выбором материала магнитопровода и воздушного зазора, характеристиками обмоточного провода и т.д., а также продемонстрированы результаты испытаний.

Подробнее »

ООО «Мегател», ИНН 3666086782, ОГРН 1033600037020

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 319
сейчас смотрят 14
представлено поставщиков 1570
загружено
позиций
25 067 862