Схема защиты от переполюсовки превосходит диоды Шоттки

Схема защиты от переполюсовки на Рисунке 1 является высокоэффективной альтернативой обычным последовательным диодам (часто Шоттки). На этой схеме падает гораздо меньшее напряжение, чем на лучших диодах Шоттки. В схеме используются MOSFET из-за их низкого сопротивления в открытом состоянии. Общее сопротивление этих транзисторов в открытом состоянии составляет 0.013 Ом. При токе нагрузки 10 А и температуре 25 °C на них падает напряжение 0.13 В. Сравните это значение с прямыми падениями напряжения в несколько сотен милливольт на диодах Шоттки при тех же условиях.

Напряжение, падающее на этой схеме защиты от переполюсовки, меньше, чем на лучших диодах Шоттки.
Рисунок 1. Напряжение, падающее на этой схеме защиты от переполюсовки, меньше,
чем на лучших диодах Шоттки.

Из за внутренних диодов MOSFET необходимо использовать последовательное включение p- и n-канальных транзисторов. Оптоизолятор обеспечивает соответствующее управление затворами MOSFET. При более низких токах характеристики схемы еще лучше. Два дискретных транзистора можно заменить одним корпусом с комплементарной парой MOSFET, таким, например, как IRF7389, общее сопротивление открытых транзисторов которого равно 0.108 Ом. Резисторы R2 и R3 необходимы для закрывания транзисторов при выключенной микросхеме IC1. R1 обеспечивает номинальное входное напряжение 12 В.

  1. Datasheet International Rectifier IRF7425
  2. Datasheet International Rectifier IRF7822
  3. Datasheet Infineon IRF7389
  4. Datasheet International Rectifier PVI5033

ООО «Мегател», ИНН 3666086782, ОГРН 1033600037020

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 350
сейчас смотрят 14
представлено поставщиков 1570
загружено
позиций
25 067 862