SiC MOSFET = высокий КПД источника питания

650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед обычными кремниевыми (Si) 650 В MOSFET, но и перед нитрид-галлиевыми транзисторами.

SiC MOSFET = высокий КПД источника питания

В мире неуклонно растет энергопотребление: увеличивается доля электротранспорта, в том числе количество электромобилей, растут вычислительные ресурсы – миллиарды персональных компьютеров, устройства IoT, дата-центры.

Проблема эффективности использования электроэнергии актуальна во всех отраслях. От КПД устройства зависит не только стоимость владения, но также цена и габариты, и, как следствие, его конкурентоспособность на рынке.

Читать статью »

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 13
сейчас смотрят 4
представлено поставщиков 581
загружено
позиций
25 067 862