Читая восторженные статьи о внедрении широкозонных полупроводников (SiC и GaN), можно прийти к выводу, что эра кремния в мощных импульсных источниках питания закончилась. Однако есть масса приложений, где он остается незаменимым и не скоро сдаст свои позиции.
В последние годы в области импульсного преобразования сложился определенный баланс между реальным значением КПД, которого можно достичь при использовании существующих технологий, и ценой, которую современные потребители готовы платить за столь высокую эффективность. В статье рассматриваются характеристики одной из основных сфер применения широкозонных транзисторов – сетевых источников питания, состоящих из корректора коэффициента мощности и изолированного преобразователя постоянного напряжения. Рассмотрим, всегда ли новые полупроводниковые материалы – карбид кремния и арсенид галлия – позволяют создавать преобразователи с лучшими характеристиками, чем при использовании традиционного кремния.