АО «ЗНТЦ» совместно с НИУ МИЭТ осуществляет разработку технологии и ведет подготовку инфраструктуры для производства кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия для изготовления силовой и СВЧ электроники. Завершен один из этапов проекта: закончено строительство участка и монтаж необходимого оборудования, участок введен в эксплуатацию.
Нитрид галлия является одним из самых востребованных и перспективных материалов современной электроники. Устройства на основе GaN-Si, их перспективы и преимущества регулярно обсуждаются на отраслевых конференциях по всему миру. Среднегодовой темп роста мирового рынка силовой электроники на GaN-Si, по прогнозам компании Yole Development, в ближайшие два года составит 85%.
Отечественный рынок СВЧ и силовых транзисторов за последние 2-3 года существенно вырос, тем не менее в настоящее время на территории РФ отсутствует серийное производство электронных компонентов на нитриде галлия.
Поэтому в последние несколько лет АО «ЗНТЦ» совместно с НИУ МИЭТ активно осуществляет разработку технологии и занимается формированием технологической инфраструктуры, необходимой для организации экспериментального производства кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложке кремния диаметром 150 мм для изготовления силовой и СВЧ электроники.
«Ключевыми преимуществами транзисторов на GaN являются быстродействие в сравнении с изделиями на кремниевых подложках, возможность работы при высоком напряжении. Также они обладают лучшим показателем надежности», – сообщила Галина Анатольевна Ширкова, уководитель Кристального производства Зеленоградского нано центра
Ввод в эксплуатацию отдельного производственного участка, обладающего полной автономностью и независимостью от основной производственной линейки, позволит перейти к изготовлению изделий на подложках нитрида галлия от единичного производства к мелкосерийному.