Высокая надежность SiC! Как они этого добились ?

За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически до уровня их кремниевых собратьев.

Высокая надежность SiC! Как они этого добились ?

Использование полупроводниковых приборов на основе карбида кремния позволяет улучшить все ключевые характеристики импульсных источников питания, поэтому многие специалисты всерьез рассматривают их в качестве элементной базы для преобразователей электрической энергии следующего поколения. Привлекательность карбида кремния (SiC) связана, в первую очередь, с тем, что по своей структуре, электрическим характеристикам и методам управления карбид-кремниевые приборы похожи на свои кремниевые аналоги, поэтому конечным разработчикам для освоения новой элементной базы понадобится лишь незначительная адаптация существующих методов проектирования.

Читать статью »

Добавить свое объявление

* заполните обязательные данные

Статистика eFaster:

посетило сегодня 16
сейчас смотрят 3
представлено поставщиков 581
загружено
позиций
25 067 862